Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDD86102 Datenblatt

FDD86102 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 581,69 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDD86102
FDD86102 Datenblatt Seite 1
FDD86102 Datenblatt Seite 2
FDD86102 Datenblatt Seite 3
FDD86102 Datenblatt Seite 4
FDD86102 Datenblatt Seite 5
FDD86102 Datenblatt Seite 6
FDD86102 Datenblatt Seite 7
FDD86102 Datenblatt Seite 8
FDD86102

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta), 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63