Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMS8560S Datenblatt

FDMS8560S Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 407,52 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDMS8560S
FDMS8560S Datenblatt Seite 1
FDMS8560S Datenblatt Seite 2
FDMS8560S Datenblatt Seite 3
FDMS8560S Datenblatt Seite 4
FDMS8560S Datenblatt Seite 5
FDMS8560S Datenblatt Seite 6
FDMS8560S Datenblatt Seite 7
FDMS8560S Datenblatt Seite 8
FDMS8560S Datenblatt Seite 9
FDMS8560S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta), 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 65W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN