FDT55AN06LA0 Datenblatt
FDT55AN06LA0 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDT55AN06LA0
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 8.9W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
