FF200R17KE3S4HOSA1 Datenblatt
|
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
