FGL60N100BNTDTU Datenblatt
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 275nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 140ns/630ns Testbedingung 600V, 60A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.2µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 275nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 140ns/630ns Testbedingung 600V, 60A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.2µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
