FGY60T120SQDN Datenblatt
FGY60T120SQDN Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FGY60T120SQDN
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 60A Leistung - max 517W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 311nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/296ns Testbedingung 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
