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FGY75N60SMD Datenblatt

FGY75N60SMD Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FGY75N60SMD
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FGY75N60SMD

ON Semiconductor

FGY75N60SMD

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 770µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/136ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

PowerTO-247-3