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FGY75T95LQDT Datenblatt

FGY75T95LQDT Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FGY75T95LQDT
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FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

FGY75T95LQDT

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.69V @ 15V, 75A

Leistung - max

453W

Schaltenergie

2mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

663.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/496ns

Testbedingung

600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3