Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQB2N50TM Datenblatt

FQB2N50TM Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 720,33 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FQB2N50TM
FQB2N50TM Datenblatt Seite 1
FQB2N50TM Datenblatt Seite 2
FQB2N50TM Datenblatt Seite 3
FQB2N50TM Datenblatt Seite 4
FQB2N50TM Datenblatt Seite 5
FQB2N50TM Datenblatt Seite 6
FQB2N50TM Datenblatt Seite 7
FQB2N50TM Datenblatt Seite 8
FQB2N50TM Datenblatt Seite 9
FQB2N50TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB