Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQPF16N25C Datenblatt

FQPF16N25C Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 521,55 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FQPF16N25C
FQPF16N25C Datenblatt Seite 1
FQPF16N25C Datenblatt Seite 2
FQPF16N25C Datenblatt Seite 3
FQPF16N25C Datenblatt Seite 4
FQPF16N25C Datenblatt Seite 5
FQPF16N25C Datenblatt Seite 6
FQPF16N25C Datenblatt Seite 7
FQPF16N25C Datenblatt Seite 8
FQPF16N25C Datenblatt Seite 9
FQPF16N25C Datenblatt Seite 10
FQPF16N25C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

43W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack