GB02SHT03-46 Datenblatt
GB02SHT03-46 Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 374,2 KB
GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
GB02SHT03-46
|
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 1A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 76pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-46 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 225°C |
