Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

GB2X100MPS12-227 Datenblatt

GB2X100MPS12-227 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 809,7 KB
GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: GB2X100MPS12-227
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 1
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 2
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 3
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 4
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 5
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 6
GB2X100MPS12-227 Datenblatt Seite 7
GB2X100MPS12-227

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

185A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

80µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227