Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HAT2166H-EL-E Datenblatt

HAT2166H-EL-E Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 102,72 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: HAT2166H-EL-E
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 1
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 2
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 3
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 4
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 5
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 6
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 7
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 8
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 9
HAT2166H-EL-E Datenblatt Seite 10
HAT2166H-EL-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669