HP8KA1TB Datenblatt
HP8KA1TB Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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HP8KA1TB
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V Leistung - max 3W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
