Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPD06P002NATMA1 Datenblatt

IPD06P002NATMA1 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 1.000,68 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IPD06P002NATMA1
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 1
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 2
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 3
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 4
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 5
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 6
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 7
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 8
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 9
IPD06P002NATMA1 Datenblatt Seite 10
IPD06P002NATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63