IPD50R1K4CEBTMA1 Datenblatt
IPD50R1K4CEBTMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IPD50R1K4CEBTMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 178pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
