Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt

IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 970,42 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 1
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 2
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 3
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 4
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 5
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 6
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 7
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 8
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 9
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 10
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 11
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 12
IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt Seite 13
IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

18W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63