Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7103QTRPBF Datenblatt

IRF7103QTRPBF Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 254,35 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IRF7103QTRPBF
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 1
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 2
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 3
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 4
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 5
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 6
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 7
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 8
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 9
IRF7103QTRPBF Datenblatt Seite 10
IRF7103QTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

255pF @ 25V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO