Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7501TR Datenblatt

IRF7501TR Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 143,37 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IRF7501TR
IRF7501TR Datenblatt Seite 1
IRF7501TR Datenblatt Seite 2
IRF7501TR Datenblatt Seite 3
IRF7501TR Datenblatt Seite 4
IRF7501TR Datenblatt Seite 5
IRF7501TR Datenblatt Seite 6
IRF7501TR Datenblatt Seite 7
IRF7501TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™