Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt

IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt
Total Pages: 29
Größe: 755,26 KB
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: IS61DDB22M18A-250M3L, IS61DDB22M18A-250B4LI, IS61DDB21M36A-250M3L
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 1
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 2
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 3
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 4
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 5
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 6
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 7
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 8
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 9
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 10
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 11
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 12
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 13
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 14
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 15
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 16
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 17
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 18
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 19
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 20
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 21
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 22
IS61DDB22M18A-250M3L Datenblatt Seite 23
···
IS61DDB22M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (13x15)

IS61DDB22M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (13x15)

IS61DDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (13x15)