IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR Datenblatt
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 40ns Zugriffszeit 40ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-TFBGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 36ns Zugriffszeit 36ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-TFBGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 36ns Zugriffszeit 36ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-TFBGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 40ns Zugriffszeit 40ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-TFBGA (6x8) |
