IXBR42N170 Datenblatt
IXBR42N170 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXBR42N170
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 42A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
