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IXFN140N20P Datenblatt

IXFN140N20P Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IXFN140N20P
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Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

680W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC