IXGR32N90B2D1 Datenblatt
IXGR32N90B2D1 Datenblatt
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IXYS
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IXGR32N90B2D1
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 32A Leistung - max 160W Schaltenergie 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 89nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/260ns Testbedingung 720V, 32A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 190ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
