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IXST30N60B2D1 Datenblatt

IXST30N60B2D1 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: IXST30N60B2D1, IXSH30N60B2D1
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IXST30N60B2D1 Datenblatt Seite 6

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/130ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/130ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)