IXTN320N10T Datenblatt
IXTN320N10T Datenblatt
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IXYS
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IXTN320N10T
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 320A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 680W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
