KGF12N05-400-SP Datenblatt
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Renesas Electronics America Inc.
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KGF12N05-400-SP
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 3.5V Vgs (Max) ±5.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 5.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (1.47x1.47) Paket / Fall 6-SMD, No Lead |
