LH5116-10F Datenblatt
LH5116-10F Datenblatt
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Sharp Microelectronics
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LH5116-10F
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-DIP |
