MMFT2N02ELT1 Datenblatt
MMFT2N02ELT1 Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 114,03 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
MMFT2N02ELT1
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 800mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
