Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMIX1F40N110P Datenblatt

MMIX1F40N110P Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 179,31 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: MMIX1F40N110P
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 1
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 2
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 3
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 4
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 5
MMIX1F40N110P Datenblatt Seite 6

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

310nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads