NGTG50N60FLWG Datenblatt
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ON Semiconductor
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NGTG50N60FLWG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 223W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 116ns/292ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |