NJX1675PDR2G Datenblatt
NJX1675PDR2G Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NJX1675PDR2G
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 100MHz, 120MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
