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NLAS4717EPFCT1G Datenblatt

NLAS4717EPFCT1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NLAS4717EPFCT1G, NLAS4717EPMTR2G
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NLAS4717EPFCT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

3.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

30ns, 40ns

-3db Bandbreite

90MHz

Ladungsinjektion

9pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

15pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-110dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-UFBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

10-Microbump (1.97x1.47)

NLAS4717EPMTR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

3.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

30ns, 40ns

-3db Bandbreite

90MHz

Ladungsinjektion

9pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

15pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-110dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-WFQFN

Lieferantengerätepaket

10-WQFN (1.4x1.8)