NLAS5223BMUR2G Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis SPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:1 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 350mOhm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 50mOhm (Max) Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.5V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 50ns, 50ns -3db Bandbreite 19MHz Ladungsinjektion 38pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 60pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 500nA Übersprechen -70dB @ 100kHz Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 10-UFQFN Lieferantengerätepaket 10-UQFN (1.4x1.8) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis SPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:1 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 350mOhm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 50mOhm (Max) Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.5V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 50ns, 50ns -3db Bandbreite 19MHz Ladungsinjektion 38pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 60pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 500nA Übersprechen -70dB @ 100kHz Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 10-WFQFN Lieferantengerätepaket 10-WQFN (1.4x1.8) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis SPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:1 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 350mOhm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 50mOhm (Max) Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.5V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 50ns, 50ns -3db Bandbreite 19MHz Ladungsinjektion 38pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 60pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 500nA Übersprechen -70dB @ 100kHz Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 10-WFQFN Lieferantengerätepaket 10-WQFN (1.4x1.8) |
