Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt

NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 312,98 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NP50P04SDG-E1-AY
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 1
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 2
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 3
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 4
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 5
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 6
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 7
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 8
NP50P04SDG-E1-AY Datenblatt Seite 9
NP50P04SDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta), 84W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252 (MP-3ZK)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63