Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN013-100YSEX Datenblatt

PSMN013-100YSEX Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 836,55 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: PSMN013-100YSEX
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 1
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 2
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 3
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 4
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 5
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 6
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 7
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 8
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 9
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 10
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 11
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 12
PSMN013-100YSEX Datenblatt Seite 13
PSMN013-100YSEX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

82A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3775pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

238W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669