RJH65T14DPQ-A0#T0 Datenblatt
RJH65T14DPQ-A0#T0 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 290,66 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJH65T14DPQ-A0#T0
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.3mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/125ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 250ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
