Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt

RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 145,15 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: RJK1055DPB-00#J5
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 1
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 2
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 3
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 4
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 5
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 6
RJK1055DPB-00#J5 Datenblatt Seite 7
RJK1055DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669