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RJK4002DJE-00#Z0 Datenblatt

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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.54W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)