RJP60V0DPM-00#T1 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJP60V0DPM-00#T1
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 22A Leistung - max 40W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/100ns Testbedingung 300V, 22A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
