RQ3E180AJTB Datenblatt
RQ3E180AJTB Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RQ3E180AJTB
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta), 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
