SGSD200 Datenblatt
|
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 80mA, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 500 @ 10A, 3V Leistung - max 130W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 80mA, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 500 @ 10A, 3V Leistung - max 130W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
