Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SH8M14TB1 Datenblatt

SH8M14TB1 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 636,57 KB
Rohm Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SH8M14TB1
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 1
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 2
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 3
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 4
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 5
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 6
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 7
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 8
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 9
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 10
SH8M14TB1 Datenblatt Seite 11
SH8M14TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP