Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt

SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 244,95 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SI3429EDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 11
SI3429EDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta), 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4085pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6