SI5997DU-T1-GE3 Datenblatt
SI5997DU-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 160,08 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI5997DU-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
