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SI6924AEDQ-T1-GE3 Datenblatt

SI6924AEDQ-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI6924AEDQ-T1-GE3, SI6924AEDQ-T1-E3
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SI6924AEDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

28V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

SI6924AEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

28V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP