SI7172ADP-T1-RE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI7172ADP-T1-RE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
