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SI8901EDB-T2-E1 Datenblatt

SI8901EDB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8901EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-MICRO FOOT®CSP

Lieferantengerätepaket

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)