Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt

SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 224,99 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIA406DJ-T1-GE3
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIA406DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIA406DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6