Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt

SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 353,88 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIA923AEDJ-T1-GE3
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIA923AEDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual